4月30日，英特尔新任首席执行官Chen Chen Liwu举行了在美国加利福尼亚州圣何塞举行的Intel Foundry Direct Connect 2025活动，概述了该公司在Fab Foundry Project中的开发项目。 Chen Liwu宣布，该公司现在正在与即将到来的14A流程节点的主要客户（1.4nm“同等”）接触，这是随后一代的18A流程节点。英特尔已经有许多客户计划流式传输14A测试芯片，该芯片现已配备了改善版本的Back -Transmission技术公司PowerDirect。如果计划所有内容，那么14A将是行业中第一个采用高EUV光刻技术的节点。 TSMC的A14竞争对手节点预计将于2028年到达，但预计不会使用高劳动技术。 Chen Liwu还透露，该公司的主要18A节点有上升阶段的风险，预计明年将开始大规模劳动。英特尔还宣布了新的18A-P（注意：18A的性能版本Node）现在在Fab上运行，并且早期的晶圆也被放置在劳动中。此外，英特尔还正式宣布，它形成了一个新版本的18A-PT，该版本支持Foveros Direct 3D，并使用混合键合互连来使Intel loction Stack Wafers在最先进的顶级节点中。 Foveros Direct 3D Technology是一项重大开发，因为它提供了TSMC竞争对手使用的生产功能，主要是AMD的3D V-CACH产品。实际上，关键互连密度度量的实施对应于TSMC产品。就成熟的节点而言，英特尔Fabs现在拥有第一个16nm的Morea法案，该公司现在正在与UMC合作生产12nm节点。根据英特尔的官方路线图，18A-P将于2026年推出，18A-PT将等到2028年。此外，14A将于2027年到达，并将进行14A-E流程。为了响应高级包装需求，英特尔铸造厂使用英特尔14A和Intel 18A-P Process Pro提供系统集成服务CESSES可以通过Foveros Direct（3D堆叠）和EMIB（2.5D桥）技术启用连接。英特尔还将为客户提供新的高级包装技术，包括EMIB-T，以适应未来的高带宽内存要求；在Foveros 3D高级包装技术方面，Foveros-R和Foveros-B还将为客户提供更好和灵活的选择。在制造业方面，亚利桑那州的Intel的Fab 52 Fab已成功运营了“整个过程”，该过程标志着第一个晶圆通过设施的处理。英特尔18A的大量生产将从俄勒冈州的英特尔工厂开始，而亚利桑那州的工党将于明年扩大。 【来源：这在家】